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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
15.5
写入速度,GB/s
15.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2854
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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