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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
24
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
20.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
17.0
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
24
读取速度,GB/s
22.8
20.5
写入速度,GB/s
15.4
17.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
4064
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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