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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
67
左右 75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
67
读取速度,GB/s
22.8
17.1
写入速度,GB/s
15.4
9.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2027
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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