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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
14.7
18.5
写入速度,GB/s
9.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3283
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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