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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
76
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
76
读取速度,GB/s
12.6
15.7
写入速度,GB/s
7.2
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
1809
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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