RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
76
Около 67% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1809
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link