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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
76
En 67% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
76
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
1809
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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