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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
76
Por volta de 67% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2051
1809
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
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AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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