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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB 需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 28
    左右 -8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.4 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    12.7 left arrow 13.2
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 14.4
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3068

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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