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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
15.7
写入速度,GB/s
15.4
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2978
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
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