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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

总分
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

总分
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

差异 规格 评论

差异

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 38
    左右 -27% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    10.0 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2753 left arrow 2244

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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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