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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
39
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
39
读取速度,GB/s
22.8
13.7
写入速度,GB/s
15.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2364
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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