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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2382
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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