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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.2
19.8
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3650
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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