RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3650
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link