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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
44
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
44
读取速度,GB/s
22.8
10.6
写入速度,GB/s
15.4
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2374
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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