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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
39
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
39
读取速度,GB/s
22.8
8.8
写入速度,GB/s
15.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2083
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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