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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
36
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
36
读取速度,GB/s
22.8
15.0
写入速度,GB/s
15.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2292
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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