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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.8
21.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
17
读取速度,GB/s
22.8
21.8
写入速度,GB/s
15.4
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3695
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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