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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
23
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
23
读取速度,GB/s
22.8
16.7
写入速度,GB/s
15.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2886
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB RAM的比较
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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