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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
18.8
写入速度,GB/s
15.4
15.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3465
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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