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Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
总分
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
12.9
13.3
写入速度,GB/s
8.2
9.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2347
2209
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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