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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.0
18.5
写入速度,GB/s
9.0
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3593
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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