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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
26
读取速度,GB/s
14.0
18.9
写入速度,GB/s
9.0
17.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3983
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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