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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
71
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
71
读取速度,GB/s
14.0
16.0
写入速度,GB/s
9.0
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
1956
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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