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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
55
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
55
读取速度,GB/s
14.0
19.5
写入速度,GB/s
9.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2274
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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