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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
51
读取速度,GB/s
14.0
13.9
写入速度,GB/s
9.0
9.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2720
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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