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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
73
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
73
读取速度,GB/s
13.9
13.4
写入速度,GB/s
9.7
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
1468
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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