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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
42
读取速度,GB/s
14.0
13.3
写入速度,GB/s
9.0
7.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2181
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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