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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
101
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
101
读取速度,GB/s
14.0
14.2
写入速度,GB/s
9.0
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
1313
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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