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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Teclast TLD416G26A30 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Teclast TLD416G26A30 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
14.0
15.9
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2719
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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