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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
58
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
58
读取速度,GB/s
11.4
17.4
写入速度,GB/s
7.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2125
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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