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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
51
读取速度,GB/s
11.4
12.5
写入速度,GB/s
7.4
5.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1081
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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