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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
47
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
47
读取速度,GB/s
11.4
11.8
写入速度,GB/s
7.4
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2323
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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