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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
12.1
写入速度,GB/s
7.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2478
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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