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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
14.1
写入速度,GB/s
7.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
no data
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1683
2918
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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