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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
41
读取速度,GB/s
11.4
13.5
写入速度,GB/s
7.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3114
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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