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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
16.6
写入速度,GB/s
7.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3221
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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