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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
15.6
写入速度,GB/s
7.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3043
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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