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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
11.4
15.1
写入速度,GB/s
7.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2871
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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