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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
11.4
17.6
写入速度,GB/s
7.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2460
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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