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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
11.4
18.3
写入速度,GB/s
7.4
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3615
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
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