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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.1
写入速度,GB/s
7.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3384
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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