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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.9
写入速度,GB/s
7.4
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3795
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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