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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
21.4
写入速度,GB/s
7.4
17.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
4047
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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