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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
17.4
写入速度,GB/s
7.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3385
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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