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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.4
18.3
写入速度,GB/s
7.4
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3911
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
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