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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
11.4
16.3
写入速度,GB/s
7.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2995
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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