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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
9.8
12.0
写入速度,GB/s
8.1
6.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1878
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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