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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
70
左右 47% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
70
读取速度,GB/s
11.4
16.1
写入速度,GB/s
7.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1838
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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